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IRF3709ZSTRRPBF  与  IPB055N03L G  区别

型号 IRF3709ZSTRRPBF IPB055N03L G
唯样编号 A-IRF3709ZSTRRPBF A-IPB055N03L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 6.3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.3mΩ@21A,10V 5.5mΩ
上升时间 - 5.2ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 87A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2130pF -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 68W
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2130pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 6.7ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3709ZSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@21A,10V N-Channel 30V 87A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IPB065N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB065N03LGATMA1_±20V 56W(Tc) 6.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 N-Channel 30V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPB042N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N03LGATMA1_30V 70A 4.2mΩ 20V 79W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB05N03LB Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOB418L AOS  数据手册 功率MOSFET

9.5A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±12V 9.7 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.1W(Ta),333W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
IPB055N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB055N03LGATMA1_30V 50A 5.5mΩ 20V 68W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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